CENTRALSEMI低 VCE（SAT）晶体管CMLT3820G TR

节省空间的SOT-563表面贴装封装，这种封装形式使得CMLT3820G非常适合于尺寸受限的应用场景。互补PNP器件（CMLT7820G），这为用户提供了在选择和使用上的灵活性。

• 无卤素设计：CMLT3820G采用无卤素设计，这有助于减少对环境的影响，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。
• 大电流能力：该晶体管在IC=1.0A的条件下仍能正常工作，显示出其强大的电流处理能力。这使得CMLT3820G在需要处理大电流的电路中具有显著优势。
• 低VCE（SAT）：VCE（SAT）=0.28V max.@IC=1.0A，这是CMLT3820G的一个显著特点。低VCE（SAT）意味着在晶体管饱和时，集电极和发射极之间的电压降较小，从而减少了功耗和热量产生。这有助于提高电路的整体效率和稳定性。

产地：美国

集电极基极电压：80 V

集电极-发射极电压：60 V

发射极基极电压：5.0 V

连续集电极电流：1.0 A

峰值集电极电流：2.0 A

连续基极电流：300mA

功耗：250 mW

工作温度：-65至+150°C

存储接面温度：-65至+150°C

热阻：500°C/W

DC/DC转换器

电压钳位

保护电路

电池供电的手机、寻呼机、数码相机、PDA、笔记本电脑等