CENTRALSEMI通孔晶体管CDMSJ22013.8 650

CENTRAL SEMICONDUCTOR CDMSJ22013.8-650 是一款高电流、650 伏 N-通道功率 MOSFET，专为功率因数校正 (PFC) 和电源充电器等高电压、快速开关应用而设计。这款 MOSFET 将高电压能力与低 rDS。

• 高电压能力 (VDS=650V)：该MOSFET能够承受高达650伏的漏源电压（VDS），适用于高电压环境。
• 低栅极电荷 (Qgs=6nC)：rDS（ON）表示漏源导通电阻，低rDS（ON）意味着在导通状态下，MOSFET的电阻较小，能够减少功耗，提高工作效率。
• 低 rDS(ON) (0.28Ω)：阈值电压是MOSFET开始导通所需的栅源电压。低阈值电压使得MOSFET在较低的栅源电压下即可开始导通，有助于降低功耗并提高响应速度。

产地：美国

漏极-源极电压：650 V

栅极-源极电压：30 V

连续漏极电流：13.8 A

连续漏极电流（TC=100°C）：8.7 A

脉冲漏极电流：41.4 A

正向二极管电流：13.8 A

功率耗散：35.7 W

功率耗散（TC=100°C）：14.3 W

工作温度：-55 至 +150 °C

存储接面温度：-55 至 +150 °C

功率因数校正

电视电源

不间断电源

PD 充电器

适配器