CENTRALSEMI齐纳二极管BZV55C4V3 BK

CENTRAL SEMICONDUCTOR的BZV55C4V3系列硅齐纳二极管，以其高的质量和可靠性，在众多应用领域中展现出了高的性能。这一系列二极管专为满足商业、工业、娱乐、计算机和汽车等多元化需求而设计，凭借其独特的性能特点，成为了市场上备受青睐的产品。

• BZV55C4V3系列二极管采用高品质的硅材料制造，这种材料的选择确保了二极管的稳定性和可靠性。高品质的硅材料不仅提高了二极管的电气性能，还延长了其使用寿命，使得BZV55C4V3系列能够在各种恶劣环境下稳定工作，为电路提供持续的保护。
• 作为齐纳二极管，BZV55C4V3系列在反向击穿时能够提供稳定的电压参考。这一特性使得该系列二极管在需要准确电压控制的应用中表现良好。例如，在电源管理、电压调节和电路保护等领域，BZV55C4V3系列能够确保电路的稳定运行，防止因电压波动而导致的故障。
• BZV55C4V3系列二极管具有较高的反向击穿电压，能够承受较大的反向电压而不会损坏。这一特性为电路中的其他元件提供了有效的保护，防止因电压过高而导致的损坏或故障。在高压环境中，BZV55C4V3系列能够发挥高性能，确保电路的安全运行。
• BZV55C4V3系列二极管具有较低的功耗，这有助于降低整体电路的能耗，提高能效。在追求绿色、节能的现代社会中，低功耗的BZV55C4V3系列二极管无疑是一个理想的选择。它们能够在保证性能的同时，降低电路的能耗，为环保事业做出贡献。

产地：美国

类型：齐纳（Zener）二极管

平均正向电流：250 mA

峰值重复正向电流：250 mA

功率耗散（TL=50°C）：500 mW

齐纳电压：4.085...4.515 V

测试电流：5.0 mA

齐纳阻抗（Z_ZT @ I_ZT）：max.90 Ω

齐纳阻抗（Z_ZK）：max.600 Ω

反向电流：3.0 μA

齐纳电流：116 mA

温度范围：-65°C至200°C

RoHS标准：是

元件材料：SILICON（硅）