OPTOI光电晶体管阵列OIT15C-NR

OIT15C-NR 包含在硅光电晶体管的单片阵列中。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极，该集电极连接到单个焊盘，每个发射器都可以访问特定的焊盘。阵列的光学间距为 0.45 mm，LCC 封装电气间距为 1.10 mm。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm²。

该产品的优点是硅传感器的高度均匀性，由于单片结构和受控的微电子过程，信号的高稳定性和高光学响应性，由于沉积在光电晶体管区域上的抗反射涂层。

该设备采用薄塑料薄膜保护，可抵抗回流炉工艺。一旦将设备组装到电子板上，就须去除薄膜，用户可以安装光学标线片。尺寸减小，以优化成本和编码器空间。两个参考标记可用于准确的标线定位。

• 耐焊接工艺，MSL2
• 硅电池的高均匀性
• 更小的光学间距，更宽的有效区域
• 高增益
• 非常小的尺寸
• 准确安装的参考点
• 提供分划板组装服务

工作温度范围：-40 100 °C

储存温度：-40 100 °C

引线温度（焊锡）3s：230 °C

集电极-发射极击穿电压@T_A=25°C I_B=100nA I_C=1mA：50 V

功耗，T_A=25°C 时：150 mW

静电放电敏感性：3级

暗电流 V_R=10V：典型5nA，max.100 nA

响应度：0.5 A/W

峰值响应度 V_CE=5V：750 nm

光谱带宽@50% V_CE=5V：500…950 nm

发射极-集电极电流 V_CE=7.7V：0.025…100 μA

集电极-发射极电流 V_CE=52V：0.025…100 μA

增益 V_CC=5V I_C=2mA：典型500，min.1100，max.500

饱和电压 I_E=2mA IB=20μA：80…200 mV

通态集电极电流 V_CE=5V E_E=1.0mW/cm²：1 mA

上升时间V_CC=5V I_C=1mA R₁=1kΩ：10 μs

下降时间 V_CC=5V I_C=1mA R₁=1kΩ：10 μs

光电晶体管有效面积：0.125 mm²

有效区域长度：0.25 mm

有效区域宽度：0.50 mm

光学编码器

增量编码器

光接收器

控制/驱动

光传感器