肖特基二极管(SBD)利用金属与半导体之间的接触势垒来实现整流功能,相比传统的PN结二极管,其正向压降更低。CMDSH05-4的这一特性使其在低功耗应用中能够显著减少能量损失,提高电路效率。肖特基二极管的开关速度非常快,这得益于其内部的金属-半导体接触结构。CMDSH05-4的高频特性使其适用于需要快速响应和高速切换的应用,如高频信号放大、开关电源等。
产地:美国
峰值重复反向电压:40 V
连续正向电流:500 mA
峰值正向重复电流,tp≤1.0 ms:3.5 A
峰值正向浪涌电流,tp=8.0 ms:10 A
功率耗散:250 mW
工作温度:-65 至 +150 °C
存储接面温度:-65 至 +150 °C
热阻:500 °C/W
封装:SOD-323
表面:表面贴装硅
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