CENTRALSEMI桥式整流器CBRHDSH1-40L BK

CBRHDSH1-40L支持1.2安培的电流和40伏特的电压，采用表面贴装技术，便于集成到现代电子设备中。该整流器具有较低的正向电压降（VF），这意味着在整流过程中能量损失较小，转换效率较高。CBRHDSH1-40L采用肖特基二极管结构，这种结构通常具有更快的开关速度和更低的导通电压，有助于提高整流器的整体性能。

• 低漏电流：在反向电压（VRRM）下，漏电流仅为20mA（典型值），这有助于减少在设备未导通时的能量损失。
• 高0A额定电流：尽管支持电流为max.1.2A，但整流器在1.0A的额定电流下能够稳定工作，确保在各种应用中的可靠性。
• 低VF肖特基二极管（440mV MAX@IF=1.0A）：在1.0A的电流下，肖特基二极管的正向电压降（max）仅为440毫伏，这进一步强调了其高的能量转换能力。
• 封装形式：CBRHDSH1-40L采用HD DIP封装，这是一种表面贴装封装形式，比传统的DIP封装更小，更节省电路板面积。
• 尺寸：CBRHDSH1-40L的长度、宽度和高度都较小，便于集成到紧凑的电子设备中。

产地：美国

峰值重复反向电压：40 VDC

阻断电压：40 VRMS

反向电压：28 V

平均正向电流：1.2 A

峰值重复正向电流：1.7 A

峰值正向浪涌电流：20 A

功耗：1.2 W

工作接面温度：-50至+125°C

储存温度：-50至+150°C

热阻：85°C/W

包装：Box@350