从 4A 到 1400A,电压等级从 600V 到 1700V,IGBT 模块可用于各种应用。这些模块采用烧结、弹簧或压入式触点等关键技术,组装快捷方便。可用的拓扑结构包括 CIB(转换器逆变制动器)、半桥、H 桥、六组、3 电平等,涵盖了各个应用领域。在这些拓扑结构中,新的 IGBT 芯片与 CAL 二极管技术相结合。新的7 代 IGBT 现已用于赛米控丹佛斯的功率模块中。它们可提供更高的功率密度,尤其是在电机驱动和太阳能应用领域,树立了新的标杆。
快速沟槽式 IGBT
稳健的软续流
采用 CAL 技术的二极管
用于电气连接的高可靠性弹簧触点
电气连接
UL 认证文件编号 E63532
产地:德国
连接方式:电气连接
逆变器功率:高达 16 千伏安
典型电机功率:7.5 千瓦
安装扭矩:2至2.5 Nm
外壳(LL x BB x HH):MiniSKiiP II 2(59 x 52 x 16)
VCES:1200 V
ICRM:25 A
技术:IGBT 3(沟槽)
重量:65 g
符合标准:E63532
电子、电力、通信、光纤行业
部件号:25230060
安装扭矩:2…2.5Nm
典型电机功率:7.5kW
外壳:MiniSKiiP II 2(59x52x16)
(LLxBBxHH)59x52x16
VCES:1200 V
ICnom:25A
技术:IGBT 3(沟槽)
重量:65g
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