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SEMIKRON整流器SKIIP 23NAB126V1

产品介绍

从 4A 到 1400A,电压等级从 600V 到 1700V,IGBT 模块可用于各种应用。这些模块采用烧结、弹簧或压入式触点等关键技术,组装快捷方便。可用的拓扑结构包括 CIB(转换器逆变制动器)、半桥、H 桥、六组、3 电平等,涵盖了各个应用领域。在这些拓扑结构中,新的 IGBT 芯片与 CAL 二极管技术相结合。新的7 代 IGBT 现已用于赛米控丹佛斯的功率模块中。它们可提供更高的功率密度,尤其是在电机驱动和太阳能应用领域,树立了新的标杆。

性能特点

快速沟槽式 IGBT

稳健的软续流

采用 CAL 技术的二极管

用于电气连接的高可靠性弹簧触点

电气连接

UL 认证文件编号 E63532

选型指南

技术参数

产地:德国

连接方式:电气连接

逆变器功率:高达 16 千伏安

典型电机功率:7.5 千瓦

安装扭矩:2至2.5 Nm

外壳(LL x BB x HH):MiniSKiiP II 2(59 x 52 x 16)

VCES:1200 V

ICRM:25 A

技术:IGBT 3(沟槽)

重量:65 g

符合标准:E63532

产品应用

电子、电力、通信、光纤行业

规格参数

部件号:25230060

安装扭矩:2…2.5Nm

典型电机功率:7.5kW

外壳:MiniSKiiP II 2(59x52x16)

(LLxBBxHH)59x52x16

VCES:1200 V

ICnom:25A

技术:IGBT 3(沟槽)

重量:65g


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